FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写,依字面翻译为聚焦离子束.简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)聚焦,将高能量(高速)的Ga+打到指定的点. 基本原理与SEM类似,仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦离子束是针对样品进行平面、界面进行微观分析。检测流程包括：样品制定、上机分析、拍照等，最后提供界面相片等数据。

主要用途：

1、电路修正, 用于验证原型,改善bug，节省开支，增快上市时间。

2、纵面的结构分析可直接于样品上处理,不需额外样品准备。

3、材料分析-TEM样品制备,用于精确定点试片制作,减低定点试片研磨所需人员经验的依赖。

4、电压对比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。